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地处长株潭城市群“金三角”的株洲市田心，伴随着新中国60年的建设与发展，从一个城郊偏僻乡村蜕变成为一座新型的科技工业园区。自1958年新中国第一台电力机车问世以来，一台台不相同的型号、不一样的规格的电力机车下线从这里驶向全国，奔驰在中华大地不断延展的铁路线上。这里生产的拥有自主知识产权的国产电力机车，还驶出了国门，成为中外技术产品合作交流的友好“使者”。“中国电力机车摇篮”的美誉也从这里传到国内外。

50年前，为适应新中国铁路电气化发展的需要，铁道部依托株洲电力机车厂，在这里创建了我国唯一的电力机车研究所。

50年之后，半个世纪奋斗换来的是一派辉煌。株洲电力机车研究所（简称株洲所）被誉为我国“院所体制改革的典范”和“高科技成果产业的样板”。她见证了国产电力机车核心技术自主创新的不平凡历程。

无数实践证明，核心技术是买不来的。株洲所决心掌握电力机车核心技术，进行专业深度的开发、系统的开发，建立完备的技术开发平台和技术体系，打造具有“中华品牌”烙印的核心技术。

交流传动系统集成技术属于轨道交通领域的关键技术，为了打破少数跨国公司对高速铁路核心技术的垄断，该所对交流传动技术展开了集中研究，分阶段分步骤进行技术探索。从上个世纪70年代开始，株洲所一直关注、跟踪和研究这一核心技术，30多年累计投入数亿元的资金，耗费了两代人的心血来研究开发这个重大课题。通过引进、消化、吸收和自主创新，广大科学技术人员奋力攻关，取得了该领域突破性进展。曾使国人感到无比自豪的、一系列拥有自主知识产权的和谐号动车组、大功率交流传动电力机车以及国产地铁车辆便是这项核心技术的产物。

自1984年以来，株洲所每年以销售额的8%以上用于技术开发。2008年，科研投入超过5亿元；科技投入产生了巨大效益，使该所在交传系统集成、变流、电子控制及网络、安全监控、功率半导体器件、橡胶弹性减振元件、传感器、电动汽车、风力发电等核心技术方面，具备了强劲的自主开发、持续创新和专业制造能力，在中国轨道交通装备制造及其相关领域确立了技术创新尖兵的地位。

2005年，由株洲所承担的“交流传动系统及其高性能控制技术的研究与应用”研究项目，荣获国家科学技术进步奖二等奖。这是国内铁路装备企业获得的最高奖项。它使中国变成全球上少数几个掌握该技术的国家之一，同时也确立了株洲所在中国轨道牵引交流电传动系统集成技术领域的领军地位。

50年中，株洲所为追赶世界电力机车领先水平、打造民族装备品牌，从始至终坚持机车牵引技术的创新，拥有自主知识产权的科学技术产品从服务我国铁路电力机车拓展，到以铁路机车电子、信息、轨道维护装备为基础，辐射延伸至国内城市轨道交通、电动汽车、风力发电、电子器件、工程机械等多元化市场；在满足国内建设需要的同时，大步跨出国门，跃上世界竞争的大舞台。

多年以来，株洲所围绕“铁路跨越式发展”的主题，以“先进、成熟、经济、适用、可靠”为纲领，以高速、重载为突破口，高起点引进国际一流技术，以国产化为重点，加强创新，高标准瞄准国际大品牌，走技术引进和自主创新相结合之路。

交流传动系统具有牵引功率大、速度高、节能环保、运营经济等优点，是新型机车的心脏和大脑，是铁路实现高速和重载的唯一选择和发展趋势。为了适应国内铁路运输高速、重载的需求，株洲所以培育中国机车车辆工业品牌为目标，以系统集成技术为要点，高起点引进技术和产品。

在铁道部组织的大规模引进、消化、吸收再创新过程中，株洲所对交流传动系统的研究分阶段、分步骤进行了技术探索、合作研制、自主开发与技术引进，以开放的心态面对技术封锁，积极吸收国外最新成果，株洲所几乎与全世界所有的知名轨道交通制造企业如西门子、三菱、庞巴迪、阿尔斯通、日立建立了联系，并在美国成立中国轨道交通装备制造领域的第一家海外研发中心。株洲所先是借鉴和研究国外先进的技术模式，以国外某种车型为参照，结合我国铁路应用的真实的情况，确立系统的技术条件和各部件参数要求，分别进行部件的研发，然后将各部件组合成系统来进行试验研究和验证，再装车做试验和验证。在部件的研发中，既考虑满足某个具体系统的需要，又要考虑通用性，进行模块化设计，将任务和困难进行分解，分步实施和突破，系统和部件都经过设计试验改进再试验直至成功的过程，从局部的成功到整体，直到总系统的成功。

2008年11月，铁道部为加快培育我国机车车辆企业的自主创造新兴事物的能力，与株洲所、株机签订了500台大功率交流传动六轴7200千瓦电力机车采购意向书，这一大手笔为我国铁路机车车辆的跨越式发展筑高了平台、拓宽了空间。株洲所依托该项目，按照铁道部的指导思想，大力开展牵引交流传动技术的再创新，经过半年多的时间，使我国重载机车的国产化率由原来的70%提高到90％以上。

从“技术引进的先行者”到“自主创新的领导者”，株洲所将原始性创新、系统集成创新和引进、消化、吸收再创新三者有机结合起来，仅用了3年左右的时间，在科研设计、生产制造和实验检验各方面有了飞跃性的发展。尤其是在交流传动和网络控制方面，先后开发了6英寸晶闸管、IGBT等具有国际水平的关键电子元件，实现了牵引交流传动系统从核心元件到部件系统集成的技术开发应用体系。

50年中，株洲所从始至终坚持以市场为导向，坚持基础研发与应用开发相结合，坚持近期项目与长远项目相结合，加速成果转化。实现了90%以上的科技成果转化为生产力，主流产品占到了全国铁路市场的70%以上。

在轨道交通装备制造领域，该所充分的发挥直流传动电力牵引系统的一马当先的优势，与主机厂紧密合作，批量研发了从SS1到SS9型电力机车，其中多种机型成为中国当今铁路的主力型车。同时，凭借交流传动电力牵引系统的优势，相继成功研制出首台交流传动地铁维护车，“蓝箭”、“奥星”、“先锋”、“西部之光”及磁悬浮列车。2003年，铁路第六次大提速以来，他们又相继为国产化高速动车组、大功率交流传动电力机车、内燃机车提高了70%以上的变流器、辅助变流器、网络监控等核心装备。通过精心培育，基于交流传动系统集成技术所形成的功率半导体、安全监控装置、大型养路机械、网络信息以及智能交通等产业，形成了一个产值近30亿元的轨道交通产业群。

在功率半导体产业。基于高压接技术的高压大电流电力半导体器件的研究开发及产业化应用取得了不俗的业绩。5英寸系列晶闸管、整流管，世界上最大的6英寸系列晶闸管、整流管，4500V/3000A GTO和4500V/4000A IGBT器件相继问世，一个占地近300亩的中国大功率半导体器件生产基地也将于今年竣工，届时，亚洲最大的电力电子器件生产基地将成为株洲所新产业领域的一面旗帜。

在安全监控产业，被誉为“铁路黑匣子”的安全监控装置从第一代LKJ-93型监控装置，再到新开发的LKJ2000型监控装置和装载在动车组上的国产化ATP装置。株洲所在该产业上17年从始至终保持了70%以上的市场占有率，形成了数亿元的产业规模。

在新材料产业领域，株洲所已成为全国轨道交通机械装备行业经营顶级规模、整体科学技术实力最强的高分子复合材料减振降噪技术专业研究和产品研究开发基地，形成了减振降噪制品、绝缘制品等七大系列新产品，2008年，公司又分别进入桥梁支座、风电叶片等新兴行业，涉及轨道交通、新能源、汽车工业等多个领域。通过多元化经营，实现了公司的快速发展。2008年，新材料产业出售的收益达到10亿元。

作为中国唯一一家在城轨牵引系统具有自主知识产权的国有企业，1999年，株洲所加快了向城轨装备领域进军的步伐。在掌握交流传动系统核心技术及大部件的标准化、系列化开发的基础上，实行技术转移和集成创新，又先后开发了基于IGBT器件的大功率交流传动系统、符合TCN标准的车载网络系统等集成电气系统。形成了具有完全自主知识产权的城轨交通车辆交流传动与网络控制管理系统集成技术体系。2003年，在铁道部、国家发改委、中国交通运输协会的支持下，株洲所开始了北京地铁13号线B型车电气系统的研制工作，并于2006年正式上线运营，两年来，总系统运行良好，甚至在电制动能力和黏着控制能力等方面比国外的产品还要好。这台实验车的稳定运行，为株洲所城轨市场的开拓在业界树立了良好的口碑，相继进入上海、广州、深圳等城市地铁市场。

2002年，株洲所抓住国家电动汽车重大研究专项的机会，果断跻身电动汽车领域，主持了“863”计划电动汽车牵引电传动项目的研究。经过6年的努力，株洲所电动汽车项目从最初9个人的项目部发展成今天中国国内最大、技术门类最为齐全的电动汽车专业化制造公司，拥有29项电动汽车技术专利，承担12项国家“863”计划电动汽车专项课题。2008年，该所研制的纯电传动系统、地面充电机、无轨电车电气系统、电池管理系统和5台豪华大巴成功进入北京奥运会市场；同时，株洲所的电动汽车整车及部件产品在上海、广州、珠海、上海等大中城市广泛采用，2009年，株洲所又成功中标长株潭新能源汽车推广项目，获得500台、价值3亿元的目标，成为科技部“十城千辆”项目获得订单最多的企业。

在风力发电领域，从2005年开始，株洲所开发出国内第一个具有自主知识产权的1.65兆瓦的全功率风电变流器，打破了国际巨头的垄断。从2007年开始，株洲所就拿到了20多亿元的市场订单。短短两年的拼搏，株洲所风电实力就进入全国前十名。

在工业变流领域，依托于株洲所“国家变流工程研究中心”的金字招牌，株洲所先后取得一系列重大的科技项目并取得重大突破。被誉为“人造太阳”的受控热核聚变反应堆，是仅次于国际空间站的大型国际合作计划，由株洲所研制的中性束二次加热电源装置是“人造太阳”的核心部件。该装置为国内首创并具有完全自主知识产权。目前，株洲所成为国际“人造太阳”计划在中国企业界唯一的合作伙伴。

2008年初雨雪冰冻灾害之后，高度的社会责任感促使株洲所开发一种新型的除冰装置，在国家电网的支持下，株洲所采用直流融冰的解决方案，研制出国内第一套5兆瓦移动式直流融冰装置，在550kV的线分钟，线路上的覆冰融化脱落。目前，该产品已经在国家电网成功应用。

目前，株洲所在民用变流技术产业上，形成工业整流装置、功补滤波装置、高压软启动、高压变频器等四大主导产业。产品出口到加拿大、伊朗、缅甸、马来西亚、中国香港等国家和地区。出售的收益从2000年的6.7亿元增长到2008年的38亿元。

50年中，株洲所从一个由工厂托管、只有32个人的电力机车研发技术团队，发展成为拥有国家工程研究中心、国家企业技术中心、博士后流动工作站、七个控股公司（三个上市公司）、员工达7000余人的高科技公司集团。

据雷峰网报道，国内GPU独角兽企业沐曦正开启上市前的裁员计划，涉及约200位员工，按照目前沐曦员工总数为900人左右计算，此次裁员涉及约20%员工。另外，报道称，在开始上市流程前，沐曦完成规模约20亿人民币的融资，2024年12月份进行交割。

据《经济参考报》报道，沐曦方面表示，为顺应公司发展，公司会定期开展人员结构调整工作，优化人员配置，此过程有人员的补充与裁撤，均属正常范畴，并非市场传言增加上市概率，市场传言的优化比例也严重失实。此外，目前公司已完成上市辅导备案工作，上市工作进程有序推进中。

今年1月15日，证监会披露了关于沐曦集成电路(上海)股份有限公司（简称：沐曦集成）首次公开发行股票并上市辅导备案报告，其上市辅导机构为华泰联合证券。

到目前为止，沐曦连续五年完成8轮融资计划，金额达到数十亿元，投资方包括上海科创基金、浦东资本、国调基金等国有资本方，以及红杉中国、经纬创投、混沌资本等多家创投资金。

沐曦已经合作多家上市公司，公司辅导备案当日，超讯通信公告与沐曦等公司共同投资设立讯曦智能，进行芯片的技术服务与服务器整机生产。超讯通信2月公告将以14.88亿元采购元醒曦云C500-P PCie训推一体服务器等产品，曦云是沐曦旗下的AI大模型训练及通用计算GPU。

根据胡润研究院发布的《2024全球独角兽榜》中，在开启辅导备案的芯片独角兽企业中，沐曦估值为100亿元。

官网显示，沐曦集成于2020年9月成立于上海，并在北京、南京、成都、杭州、深圳、武汉和长沙等地建立全资子公司暨研发中心。沐曦拥有技术完备、设计和产业化经验比较丰富的团队，核心成员平均拥有近20年高性能GPU产品端到端研发经验，曾主导过十多款世界主流高性能GPU产品研发及量产，包括GPU架构定义、GPU IP设计、GPU SoC设计及GPU系统解决方案的量产交付全流程。

沐曦集成打造全栈GPU芯片产品，推出曦思N系列GPU产品用于智算推理，曦云C系列GPU产品用于通用计算，以及曦彩G系列GPU产品用于图形渲染，满足“高能效”和“高通用性”的算力需求。沐曦产品均采用完全自主研发的GPU IP，拥有完全自主知识产权的指令集和架构，配以兼容主流GPU生态的完整软件栈（MXMACA），具备高能效和高通用性的天然优势，能够为客户构建软硬件一体的全面生态解决方案，是“双碳”背景下推动数字化的经济建设和产业数字化、智能化转变发展方式与经济转型的算力基石。

截至目前，沐曦的实际控制人为陈维良。陈维良直接持有沐曦约9.6%的股权，此外，陈维良经过控制上海骄迈企业咨询合伙企业（有限合伙）、上海曦骥企业咨询合伙企业（有限合伙）分别持有沐曦22.83%、6.95%的股权，陈维良直接和间接控制了沐曦约39.38%的股份。

2025年2月28日，业界领先的短距无线通信SoC芯片厂商深圳捷扬微电子有限公司（以下简称“捷扬微”）宣布完成了B轮系列融资，融资金额达到亿元级。本轮投资机构包括毅达资本和多家产业投资方：炬芯科技、中兴新集团旗下的司南投资、华强集团旗下的华强创投等，流深资本担任独家财务顾问。

捷扬微成立于2020年，是一家短距无线通信和智能感知芯片厂商。公司开发的UWB（Ultra Wide-Band, 超宽带）芯片和芯粒，应用于测距、定位和短距无线连接市场，为智能手机、可穿戴设备、标签、定位器、数字钥匙、智能家居、汽车、机器人以及物联网领域提供全面的芯片解决方案。捷扬微是中国首家通过FiRa联盟认证的公司，率先打破了国外厂家对UWB芯片的垄断。2024年，捷扬微成功发布一款业界领先的UWB系统级芯片GT1500，该芯片采用晶圆级封装，封装尺寸为9平方毫米，是全球尺寸最小、功耗最低的UWB系统级芯片之一。公司是国家高新技术企业、深圳市专精特新企业，2024年凭借强大的研发实力获得深圳市高层次人才团队项目的数千万元资助。

截至目前，捷扬微已与多家头部手机和可穿戴式设备厂商合作，批量供货旗舰手机和手表的应用，并成为国内最大的UWB芯片供应商，已实现年出货量达几百万颗，并持续获得更多品牌客户和更多产品应用的新增订单。

毅达资本表示：UWB技术有潜力成为高精度定位和无线连接的通用技术，具有广阔的应用前景。随着苹果、高通等国际巨头入局，行业生态正在形成。捷扬微作为国内头部的UWB芯片设计厂家，产品已获得标杆客户的认证并实现量产出货；公司核心团队在射频、毫米波、雷达芯片设计和相关算法等方面有着非常丰富的经验，技术及产品落地能力较为突出。期待捷扬微抓住行业机遇，持续深耕研发，努力变成全球领先的测距定位和无线连接芯片方案供应商。

炬芯科技表示：炬芯科技深耕端侧AI应用落地，致力于在低功耗下为端侧设备提供AI算力支持和低延时高带宽无线连接，而UWB技术高带宽、低功耗的特点使其在物联网、无人驾驶、智能家居等领域具有广阔的应用前景。我们很欣赏捷扬微持续创新和研发的能力，他们在UWB技术领域创造了优秀的技术成果，客户反响热烈。作为捷扬微的产业投资方和连续投资方，双方将持续加大合作深度，一同推动低延时高带宽无线连接技术在端侧AI领域的发展进步。

司南投资表示：捷扬微作为国产UWB芯片的领头羊，在多个领域与顶级客户深度合作，打造出非凡的终端产品，超百万片的出货也展示出捷扬微强大的交付和品质管控能力，这次作为优质企业引入杭州，期待捷扬微能够与杭州的高新科技企业深度合作。

华强创投表示：捷扬微凭借强大的研发实力与顶级手机厂的合作，成为出货量达几百万片的国产UWB厂商，已成为国产UWB芯片的龙头公司，华强看好UWB的应用和捷扬微的持续发展动能，并准备在各个应用领域与捷扬微展开合作。

捷扬微将参展2025年世界移动通信大会（MWC，2025年3月3日至6日，巴塞罗那），展台号为7号馆7G16。捷扬微将展示业界领先的UWB应用：1）UWB手机及tag，2）UWB精准指向性遥控器，3) UWB智能跟随车，4）UWB游戏手柄，5）UWB智能锁，6）UWB无线.AI服务器崛起，功率产业链需求 “应声而起”

人工智能的加快速度进行发展推动了对计算能力的需求，尤其是在深度学习、机器学习等领域，AI服务器作为专门为这些计算需求设计的设备，正慢慢的变重要。

首先，AI服务器持续升级将直接带动服务器电源数量和后备电源需求的增长，并对功率器件的转换效率提高需求。

以英伟达A卡和B卡的功耗为例。英伟达B卡的功耗普遍高于A卡，这还在于B卡通常是为更高级别的AI计算和高性能需求而设计，集成了更多的晶体管、拥有更强大的计算核心和更高的显存带宽等，所以要消耗更多的能量来运行。而A卡则相对更注重在不同应用场景下的平衡，功耗根据具体型号和功能不一样，但整体相对B卡较低。

据中信证券预测，英伟达B卡的高功耗特点使得服务器电源一直在升级迭代，2025/2026年AC/DC环节市场空间分别为230/412亿元，相比较2023年的37亿元，三年有望实现十倍增长。

为了提高功率，这将直接引发服务器电源数量和后备电源的需求量开始上涨。一方面，AI服务器常常要多电源模块配置来保证稳定供电，一般每台AI服务器需4-6个电源模块，相比传统通用型服务器电源配置数量大幅度的增加；另一方面，AI数据中心对电力稳定性要求极高，UPS（不间断电源）和 BBU（电池备电单元）等后备电源的应用场景逐步扩大，以防止数据丢失和系统故障，保障AI服务器的持续运行，从而带动后备电源市场的发展。

智能功率模块（IPM）集成了功率开关器件、驱动电路和保护电路，有更高集成度和可靠性，能精确控制功率和实现保护功能，优化驱动信号波形和时序，减少开关时间和损耗；碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件，相比传统硅基器件，它们有更高的电子迁移速度、更宽禁带宽度和更低导通电阻，能在更高频率下工作，减少开关损耗，提升转换效率。

从市场趋势来看，高功率服务器电源市场预计将在2025年中旬或年底迎来井喷式增长。随技术的慢慢的提升和市场需求的变化，电源供应商的数量可能会趋于稳定，预计不会有大量新玩家进入市场，这有助于维持市场的稳定性和竞争的良性发展。

台达作为全球AC/DC电源供应器龙头，在高功率服务器电源市场占据较大份额，凭借其在电源领域的技术积累和品牌优势，成为英伟达AI芯片的电源大赢家，为众多 AI 服务器厂商提供电源解决方案，但是其产能紧张难以以满足市场需求。麦格米特则是大陆最大的电源企业之一，已确定进入英伟达供应链，并以其高端电源产品赢得了市场的认可；而欧陆通则是通过富士康、浪潮信息、联想等一众国产AI服务器厂商，也同样获得了一定的市场地位。

在AI服务器的功率模块市场方面，竞争格局呈现出多维度特征。英飞凌、德州仪器、意法半导体等国际企业，凭借长期的研发技术投入和深厚的技术积累，在功率半导体器件和功率模块领域掌握着核心技术。例如英飞凌的 CoolMOS 系列功率 MOSFET，以其低导通电阻、高开关速度等优异性能，在AI服务器功率模块中大范围的应用；德州仪器在电源管理芯片方面技术先进，能为功率模块提供精确的控制和高效的电源转换。

具体而言，新洁能拥有 SGT - MOSFET、SJ - MOSFET、Gate Driver、智能功率 IC、功率模块等丰富产品，可应用于 AI 服务器 CPU/GPU 供电、同步整流、LLC、PFC 等核心部件；士兰微在功率模块领域取得技术突破，开发出适用于 AI 服务器的高性能功率模块产品，模块集成了多个功率器件，具有更高的功率密度和更好的散热性能，能够很好的满足 AI 服务器对电源模块小型化、高效化的需求；扬杰科技积极布局算力服务器电源领域，和服务器厂商加强合作，为 AI 服务器电源模块提供核心功率器件，随着 AI 服务器市场的增长，有望受益于市场需求的提升。

中国台湾电子元件巨头国巨此前于2月5日公告，将公开收购日本上市公司芝浦电子（Shibaura Electronics），借此冲刺传感器业务，预期总交易金额约655.59亿日元（约140亿元新台币）。

陈泰铭谈到收购缘由时表示，芝浦电子拥有出色的温度传感器技术。传感器技术对AI（AI）和电动汽车应用至关重要。公司一直关注芝浦电子，然而其约60%的业务在日本，大部分海外业务在中国大陆，欧洲和美国等主要市场的销售额仅占总销售额的6%左右。从领域来看，家电业务占比最大达44%，汽车或工业用途仅占很小一部分，但不太也许会出现大幅增长。

半导体行业的发展并非一蹴而就，而是建立在逐年累积的巨大技术进步之上，其发展速度或许超越了历史上任何别的行业。IEEE国际电子元件会议（IEDM）是芯片制造商展示这一进步的关键场所之一。论文主题涵盖了商业相关的、最终可能实现的，以及别的可能不会实现但仍然有趣的技术。

，台积电的N2（2nm）工艺、三星等研究的2D材料、CFET（垂直堆叠互补场效应晶体管）的进步，以及英特尔在硅通道扩展上取得的成就超出了人们的预期。专家小组的结论是，尽管会议上的进展令人瞩目，但这还不足以跟上人工智能（AI）的发展步伐。对于内存，

一个重点是存内计算，这是解决人工智能内存墙的长期解决方案。Meta展示了一种独特的3D堆叠内存实现方案。先进封装技术

也受到广泛关注。这是趋势所在，因为封装现在是推动算力的关键途径——我们将讨论英特尔的新EMIB-T 2.5D技术和台积电的下一代SoIC 3D混合键合产品。台积电N2

节点：材料创新推动性能提升台积电是先进逻辑芯片领域的顶尖企业。他们的一个关键优势是卓越的工艺技术。台积电的GAA（全环绕栅极）工艺节点N2，作为其首个采用该技术的制程，有望延续其在先进制程领域的竞争优势。

大于1.15倍的密度缩放。提供了六个阈值电压级别（Vt，即晶体管导通所需的电压），这一点有必要注意一下，因为相较于鳍式场效应晶体管（FinFET），GAAFET的Vt调整难度更大。阈值电压选项菜单帮助芯片设计师优化性能和功耗：逻辑核心可能使用低Vt晶体管以实现高速度，而I/O等外围功能则受益于更高Vt以最大限度地降低功耗（通常低Vt意味着晶体管可以更快切换，但也会有更多电流泄漏，即高性能但高功耗。高Vt则相反）。为实现不同的阈值电压，必须以精细的控制方式沉积介电材料，使其厚度不同。此外，还有一个挑战，即无法直接看到栅极通道的底部。这是在GAA中比FinFET工艺使用更多原子层沉积（ALD）技术的关键原因之一。

在现代逻辑芯片缩放中，互连技术与晶体管本身同样重要，台积电在这方面做出了真正的改进。栅极触点现在采用无阻挡层的钨材料，几乎肯定使用了应用材料的Endura平台，在连续真空环境下进行预清洗、物理气相沉积（PVD）钨衬层以及化学气相沉积（CVD）钨填充腔操作。尽管应用材料在IEDM 2023上的演讲声称电阻率降低40%，但台积电在实际应用中电阻和电容（RC）可降低55%。这直接转化为性能提升：在环形振荡器测试设备中提升超过6%。

最后是一些关于金属层中RC降低的消息。在单次光刻的ArFi层中，“主力”金属层和通孔的RC分别降低19%和25%。我们大家都认为原因是使用了更好的介电材料。更令人印象非常深刻的是，一种经过优化的M1（金属层1，是倒数第二层，因此布线非常密集）光刻方案，不仅节省多个极紫外光刻（EUV）掩模，还使该层的电容降低50%！细节仍是个谜——以下是供“侦探们”参考的完整引述：

现在，GAA即将进入大规模生产阶段，CFET成为新的“下一个大事件”。我们在IEDM 2023综述中深入探讨了动机和细节，但要点在于，将PMOS和NMOS晶体管上下堆叠，相比于传统的并排配置，可实现约1.5倍的缩放。

论文的重点是降低源/漏极接触的工艺复杂性。构建低电阻接触是提高性能的关键，但由于需要高纵横比以连接CFET的底部和顶部器件，这一工艺较为困难。IMEC的解决方案是设置共享的“中间布线墙”，它位于每个N+PMOS堆叠的一侧，根据自身的需求连接到源极和漏极。像这样的“墙”或轨道比通孔更容易构建，因此能实现更好的质量、性能等。但这仍有待证明，因为该论文仅模拟了集成流程。下一步可能是实际构建这些器件。

台积电再次展现出最佳水平。他们展示了能正常工作的CFET反相器，这在某种程度上预示着底部的pFET和顶部的nFET被连接在一起形成一个基本逻辑门。这是在工业化工艺集成路线图上领先其他公司一大步。最重要的是，他们采用一种有效的方法来形成顶部和底部FET之间的局部互连。这是IMEC在模拟中解决的问题，而台积电已经在硅片上实现。尽管可能是用尽心思挑选的，但晶体管性能已经很好，这表明局部互连和接触质量良好。高纵横比和严格的对准要求，将是实现大批量生产面临的主要挑战。

内存领域最热门的话题显然是HBM（高带宽存储器）。不幸的是，目前它与商业利益相关性太高，所以没有公司会在会议论文中提供详情信息。IEDM的焦点是存内计算。

Meta展示了将3D封装的SRAM或DRAM堆叠在计算单元上方（这其实就是近内存计算）的成果，并提出了一个理论上的内存内计算加速器，用于VR应用。

尽管理论和测试模型的结果看上去很不错，但要实现商业化仍存在一些障碍。首先，大多数CIM架构的可靠性和准确性比当前的计算+内存模式要差。例如，利用DRAM存储单元及其外围电路执行简单逻辑运算的方案，错误率较高。DRAM（或许多其他内存类型）和逻辑电路的制造从根本上不同且不兼容。以DRAM退火的热预算为例：在大多数情况下要600°C并持续数小时，远高于先进逻辑器件所能承受的温度。

第二是成本。即使是像Meta展示的采用混合键合技术的近内存计算也是具有挑战性的。目前市场上唯一一款将内存与逻辑电路采取混合键合技术的主流产品——AMD的X3D CPU，其销量和利润率并不可观。使用DRAM库进行计算的方法需要一个更复杂的内存控制器。而共同制造方案也很复杂——在大多数情况下要专门的内存和逻辑电路工具。尽管如此，与传统计算相比，AI加速器的需求使得采用更昂贵的解决方案变得合理。CIM仍将会加大研发力度，成为可行产品。

即使在一个可能以器件为主题的会议上（国际电子器件会议），先进封装技术也受到大量关注。因为它是计算能力扩展的新前沿领域。

初代EMIB技术声称具有成本优势，主要是因为它不采用制作成本相对高昂的硅通孔。这在某种程度上预示着一些信号和电源必须绕过中介层进行布线。而硅通孔能够为信号与电源布线带来更大灵活性，可选择将任意或所有信号及电源经由中介层传输。随着硅通孔制造技术的成熟，其成本也在降低。英特尔的EMIB-T目标市场是使用2.5D/EMIB和3D/Foveros的复杂异构封装，以提供超越掩模尺寸限制的多种互连密度。高性能计算（HPC）是其中最重要的应用场景。

台积电对其SoIC 3D封装技术进行了更新。虽然从技术上讲，台积电并不是混合键合的行业领导者（索尼在其CMOS图像传感器中已实现4µm，并即将达到1µm），但台积电在先进逻辑封装方面处于领头羊。此新一代SoIC技术似乎实现了15µm的硅通孔互连间距。相比之下，英特尔的Foveros间距大约是25µm。由于互连间距的平方与密度和性能成正比，因此即使是与上一代SoIC相比，这一差距也是显著的：

二维（2D）材料有望取代硅晶体管沟道。沟道负责在晶体管的源极和漏极之间传导电流，其传导过程由与沟道接触或环绕沟道的栅极控制。在硅材料中，沟道长度（通常称为栅极长度或LG）低于约10nm被认为是不可行的，因为漏电流过高——晶体管效率低且难以关闭。由2D材料构建的沟道更易控制，且不易受导致硅材料漏电的机制影响。随着领先设备的栅极长度已达到10~20nm，2D材料已被纳入许多21世纪30年代的技术规划。

仍远未达到商业化阶段。英特尔的一篇论文将主要挑战归纳为三大类：材料生长、掺杂与接触形成以及GAA堆叠/高介电常数金属栅极。“掺杂与接触形成”包括为形成晶体管有源源极和漏极区域进行的掺杂，以及为与上方金属互连层形成低电阻连接而进行的接触操作。GAA堆叠需要在二维沟道周围沉积多层材料，以形成控制晶体管的栅极。

目前，在掺杂、接触和栅极形成方面，台积电已取得一些进展。台积电展示了针对P型器件接触的研究成果，这填补了一项空白。此前台积电已展示过N型晶体管的接触。接触是金属互连（布线）层与晶体管源极、漏极或栅极之间的电气连接。接触性能的重要的条件，尤其是在现代器件尺寸为几十纳米的情况下，是电阻。挑战在于，源极和漏极由半导体材料制造成——传统上是硅或这里的2D材料（本例中为WSe2）——其电阻较高。将互连金属直接沉积在源极或漏极上，会在界面处形成高电阻的肖特基势垒。金属与硅的粘附性通常也较差。

对于2D材料，没有办法进行硅化处理，因为它们不含硅。首选的解决方案是简并掺杂：将特定杂质引入2D材料结构中，将其从半导体转变为导体。实际上，对WSe2进行掺杂是很困难的：其晶格容易被破坏，且在整个材料中实现均匀的掺杂分布具有挑战性。但论文的作者们已经做到了这一点。接触问题是现代逻辑工艺中最大的挑战之一，为2D材料找到一条可行的前进方向是重大进步。

第一列和第二列展示了接触区域，其中包含简并掺杂的二维材料，其上方是钯金属。来源：台积电

栅极氧化物是2D材料商业化的另一关键挑战。正如台积电N2论文中所述，栅极氧化物的质量决定了晶体管的可控性。若无法很好地控制晶体管……就没有可行的逻辑工艺。英特尔展示了高质量栅极氧化物的形成过程，由此实现了对晶体管的良好控制。DIBL（漏极感应屏障泄漏）和亚阈值摆幅较低，最大漏极电流较高——这些都表明静电控制良好。这里的主要创新似乎是工艺优化，特别是针对预清洗和氧化物沉积工艺。

尽管在掺杂、接触和栅极形成方面取得了进展，但在2D材料生长方面仍缺乏进展。我们在去年的综述中写道：“生长是2D材料的基本问题。”大多数现有研究使用转移法——材料在蓝宝石衬底上生长，然后通过机械方式转移到硅片上。但这是一种实验室技术，无法扩展到量产。直接在12英寸硅片上生长是最大有可能实现商业化的路径。

最近在这方面的进展似乎停滞不前。三星展示了使用8英寸测试晶圆进行的晶圆上生长。但材料在晶圆上的附着力不佳。解决方案是在每个晶体的边缘制造“夹子”，以在后续工艺步骤中将其固定。虽然展示了功能晶体管，不过是采用顶栅和底栅结构，而不是GAA结构。但这一工艺无法规模化。测试器件的沟道长度为500mm——大了两个数量级。如果每个沟道都需要夹子，那么所消耗的面积将抵消缩短沟道带来的缩放优势。真正的需求是在整个晶圆上生长高质量材料，而且不需要辅助结构。

对2D材料来说更不利的是，理论上硅的最小栅极长度为10nm的说法已被证明是错误的。英特尔展示了一种单条带GAA晶体管，其栅极长度仅为6nm。

英特尔的成果证明这种量子隧穿效应是能减轻。该器件的性能虽不完美，但已经很好，并且很可能通过足够的改进实现大规模商业化。亚阈值摆幅（衡量晶体管对栅极电压变化的响应程度，即晶体管开关的难易程度）已经接近理论室温最小值60mV/V。DIBL（漏极感应屏障泄漏，这种影响会随着沟道变短而加剧）大约是台积电N2工艺的两倍。它需要改进，但对于研发来说已经是不错的成果。

6nm栅极长度的GAA晶体管性能表现良好。之前已制造出5nm栅极长度的FinFET，但性能非常差。来源：英特尔

计算设备的持续进步无疑是惊人的，但还不够。如果基础设备技术没有进步，计算需求及其所需能源的指数级增长将难以为继。斯坦福大学的Tom Lee教授绘制了按当前增长率推算出未来150年的能源需求。这一推算跨度很大，但证明了一定要做出改变。按当前增长率，到2050年，AI计算所需的能源将耗尽太阳射向地球的每一个光子。再过100年，我们将需要捕获太阳发出的每一个光子。IEDM专家小组建议，与其建造“戴森球（一种假想的巨型结构，它包围着一颗恒星，并捕获其大部分能量输出）”，不如在半导体器件领域寻求突破。

近日市场消息称，奔驰中国于2月26日启动裁员并约谈部分员工，主要涉及销售和汽车金融两个体系，预计裁员比例约为15%，赔偿方案为N+9，如果未来2个月内没找到新工作，奔驰中国还将给辞退员工额外发放2个月工资。

SkyWater已与英飞凌科技达成协议，由SkyWater购买英飞凌位于美国得克萨斯州奥斯汀的200毫米晶圆厂（“Fab25”）并签订相应的长期供应协议。SkyWater将把晶圆厂作为代工厂运营，来提升美国基础芯片的可用产能，这些芯片的节点为130nm~65nm，这对于许多工业、汽车和国防应用至关重要。Fab 25还将大幅度的增加SkyWater作为代工厂的规模，并提供额外的功能，例如65nm基础设施、扩大的铜加工规模和高压Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）技术。长期供应协议将使英飞凌能够在美国保持强大、高效和可扩展的制造足迹。

SkyWater是一家总部在美国的公司，拥有广泛的客户群，是美国国防部的可信赖供应商。SkyWater认为，此次交易将使其实现显著的规模经济，为SkyWater的用户带来高价值的制造服务，并支持关键行业的双重采购战略。此外。SkyWater计划将Fab 25的业务模式从集成设备制造商（IDM）转变为代工厂，以便跟着时间的推移为广泛的新客户群带来非常大的制造能力。基础半导体对包括国防部门在内的多个美国行业都具有战略重要性。此次合作将加强美国的工业基础和国内半导体供应链，以及关键基础半导体技术的弹性。此次交易的完成需获得美国监管部门的批准，预计将在未来几个月内完成。

英飞凌执行副总裁兼前端运营主管Alexander Gorski表示，“此次交易全部符合英飞凌的制造战略，即在内部制造没办法提供竞争优势的情况下与战略代工合作伙伴创造协同效应。与SkyWater的合作创造了互利和协同效应，支持我们的盈利增长，并为咱们提供强大且让人信服的代工合作伙伴，从而保障我们在美国的长期供应基础。”

惠普公司给出了第二财季利润预期，但低于市场预期，理由是零部件成本上升和中国商品关税的影响。该公司表示，截至4月第二财季，不包括某些项目，每股盈利将为75~85美分。分析师平均预计为85美分。